Jun 14, 2020 01:09
3 yrs ago
11 viewers *
English term

soak time

English to Polish Tech/Engineering Electronics / Elect Eng
non-volatile memory Excelon offers fast write speeds with no delay, and an effectively unlimited lifespan. It performs write operations at bus speed, eliminating the ‘soak time’ and buffering delays that can cause data loss.

Discussion

Frank Szmulowicz, Ph. D. Jun 14, 2020:
Nieulotna pamięć ferroelektryczna Excelon typu ... https://elektronikab2b.pl/technika/49767-nieulotna-pamiec-fe...

Proposed translations

10 hrs
Selected

buforowanie, bufor danych, czas buforowania

Excelon F-RAM Advantages

Fast write speed with no write delay

Excelon F-RAM operates with the same host processor interfaces and timing as other memories such as SRAM, EEPROM, and serial Flash, but takes advantage of its fast write speed to eliminate write delays due to “soak time” or page/sector buffering required of other technologies. Instant writes eliminate “data at risk” resulting from unexpected power loss. - https://www.futureelectronics.com/resources/ftm/industrial-a...

--

An obvious advantage over the traditional EEPROM can be observed here: on a traditional EEPROM, the memory is organized in pages, usually 256 bytes long, which allow buffering of the databecause of the inherently slow write operation. The FRAM memory does not use pages, because the memory is written faster than the SPI bus can deliver new information (the data is written at bus speed). Therefore, no buffering is required, and the whole array can be sequentially written. - https://www.mikroe.com/excelon-lp-click

--

Figure 3: During the standard SPI write sequence, Cypress Semiconductor Excelon LP F-RAM devices immediately write data to the F-RAM array without any buffer or soak time delays associated with earlier NVM technologies. (Image source: Cypress Semiconductor) - https://www.digikey.com/en/articles/use-an-f-ram-to-build-ba...

--

Urządzenia pamięci F-RAM Excelon LP zapewniają wysoki poziom długoterminowej niezawodności, który znacznie przewyższa typową pamięć EEPROM czy flash. Urządzenia te charakteryzują się wytrzymałością 1015 cykli odczytu/zapisu i czasem przechowywania danych wynoszącym 151 lat, co przekracza realistyczny cykl życia niemal każdego urządzenia ubieralnego lub IoT.

Wydajność zapisu tych urządzeń zwiększa również ogólną niezawodność zastosowań. Ponieważ urządzenia te zapisują dane do macierzy nieulotnych pamięci F-RAM z prędkością magistrali, znacznie zmniejsza to prawdopodobieństwo utraty danych w porównaniu z innymi typami urządzeń NVM. Znacznie dłuższy czas zapisu w tych urządzeniach i związana z tym konieczność wewnętrznego buforowania danych tworzą duże okno narażenia danych na utratę w przypadku awarii zasilania przed zakończeniem sekwencji zapisu. - https://www.digikey.pl/pl/articles/use-an-f-ram-to-build-bat...

--

Bufor – obszar pamięci służący do tymczasowego przechowywania danych przesyłanych między dwoma systemami - https://pl.wikipedia.org/wiki/Bufor_(programowanie)#

--

https://pl.wikipedia.org/wiki/Buforowanie
Something went wrong...
4 KudoZ points awarded for this answer.
10 hrs

czas opóźnienia po zapisie (ang. soak time)

Proponuję definicję opisową.
cccccccccccc
EEPROMs are available in small densities with Flash high endurance and byte writability, which makes them better suited than Flash for the data logging requirements of IoT applications. However, EEPROMs consume a certain amount of time called soak time after every write. Although this delay does not affect most data logging applications, from an IoT perspective it increases current consumption by requiring the system to be in high current mode for a longer time to complete data writes. FRAM technology provides an alternative to Flash and EEPROM by offering virtually infinite endurance, instant non-volatility, higher write speed, and low power operation.
https://www.distilnfo.com/lifesciences/2018/11/06/low-power-...
Something went wrong...
Term search
  • All of ProZ.com
  • Term search
  • Jobs
  • Forums
  • Multiple search